期刊专题

10.3772/j.issn.1002-0470.2013.07.004

多微通道内存系统设计方法

引用
通过建立内存系统排队模型,分析了影响内存系统性能的原因——内存控制器的内存命令处理速度受访存请求页命中率、Bank级并行度和读写命令切换率的影响,进而提出了一种多微通道内存系统设计方法.用此方法多微通道内存控制器通过对内存颗粒进行细粒度控制,可以提高访存请求页命中率和Bank级并行度,隐藏数据总线读写切换延迟.该结构在提高内存系统带宽利用率的同时,缩短访存请求延迟,并提高内存功耗有效性.将多微通道内存控制器设计应用于多核处理器平台,充分分析各种宽度访存通道对应用程序性能的影响.实验结果表明,相比传统内存控制器设计方法,多微通道内存控制器将内存系统带宽提高了21.8%,访存延迟和功耗分别降低14.4%和26.2%.

DRAM系统、内存控制器、片上多核、多通道、访存特性

23

TP3;TN9

国家"核高基"科技重大专项课题2009ZX01028-002-003,2009ZX01029-001-003;国家自然科学基金60921002,61003064

2013-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

685-693

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

高技术通讯

1002-0470

11-2770/N

23

2013,23(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅