10.3321/j.issn:1002-0470.2002.04.012
阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长
尝试了Si基上生长GaN外延层的一种新的缓冲层材料-阳极氧化铝.在Si(111)衬底上电子束蒸发铝膜,经阳极氧化后放入MOCVD系统中退火,然后进行GaN外延生长.对材料的微结构和电学性质进行了测量和分析,并将得到的GaN材料制备成光导型的紫外光电探测器,器件在330~380nm紫外光区域有明显响应,最高响应度为3.5A/W(5V偏压).
GaN、阳极氧化铝、缓冲层、紫外探测器
12
TN3(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家自然科学基金69987001,69976014,69806006
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
52-54