10.3321/j.issn:1002-0470.2000.12.003
带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵
报导了带有腔面非注入区的808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果.在器件前后腔面处引入25μm非注入区,填充密度为17%的1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达87W,热沉温度是25℃,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高40%.器件在连续15W下恒功老化,工作寿命超过5000h.
激光二极管列阵、非注入区、COD、GaAs/AlGaAs
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TN3(半导体技术)
国家自然科学基金
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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