10.3969/j.issn.1003-3726.2003.04.006
聚吡咯衍生物的合成及液晶性能
系统论述了新型导电功能性液晶聚合物3-和N-液晶基元取代聚吡咯的合成和液晶行为.指出通过化学氧化聚合、电化学氧化聚合和脱卤缩合聚合可以获得液晶性聚吡咯衍生物.它们均显示热致液晶行为,且多数呈现近晶液晶相,少数呈现向列液晶相,有些具有2种近晶相,有些具有单变液晶性.N-液晶基元取代聚吡咯比3-位取代聚吡咯具有较高的液晶稳定性.较长的亚甲基间隔和极性的介晶基团能够使N-取代聚吡咯具有较大的液晶微区和稳定的液晶相.N-取代液晶聚吡咯在摩擦力的作用下还可以诱发单轴取向.这种热致液晶性聚吡咯衍生物的研究成功有希望克服聚吡咯难以成型加工的巨大障碍.
聚吡咯衍生物、合成、液晶行为、电导率
O63(高分子化学（高聚物）)
国家自然科学基金20274030;国家重点实验室基金
2003-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
44-52
