10.19453/j.cnki.1005-488x.2023.01.001
(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底.此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域.
硅基微米级发光二极管、巨量转移、硅基互补金属氧化物半导体、热压键合、选择性刻蚀
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TN305;O711(半导体技术)
福建省科技厅项目;福建省科技厅项目;福建省科技厅项目;中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目
2023-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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