10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.02.004
具有Al组分V型渐变电子阻挡层的深紫外LED设计与分析
为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUVLED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较大的驱动电流区间可以稳定地工作,提出并研究具有Al组分V型渐变P型电子阻挡层(P-EBL)结构的DUVLED.通过Cross-light APSYS软件对常规P型电子阻挡层(P-EBL)和Al组分V型渐变P-EBL结构DUV LED的能带、极化体电荷、电子电流、空穴浓度、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱进行了数值研究.结果表明,在260 mA电流注入时,相比常规P-EBL结构,Al组分V型渐变P-EBL结构DUV LED的效率降低的幅度减小了 5.86％,改善了 DUV LED输出性能.根据数值模拟和分析,器件输出性能改善的原因是Al组分三角形渐变P-EBL沿生长方向产生的极化体电荷,抵消P-EBL与最后一个量子垒层异质结界面处存在的极化面电荷,从而减小了界面处的极化电场.
深紫外发光二极管、Al组分V型渐变P型电子阻挡层、极化体电荷、电子泄漏、效率降低
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TN312+.8(半导体技术)
海南省自然科学基金青年基金;海南省科协青年科技英才创新计划;海南省重大科技计划;国家自然科学基金;中国工程科技发展战略海南研究院咨询研究;海南省自然基金创新研究团队;海南省高等学校科学研究项目
2021-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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