10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.01.013
双有源层a-IGZO TFT研究进展
总结了双有源层a-IGZO TFT器件的研究进展,重点阐述了a-IGZO的双有源层器件在高稳定性机制、制备工艺、上下层元素比例、掺杂和工艺参数等方面的研究结果,详细分析了双有源层对器件特性的影响及改进方法,并对双有源层a-IGZO TFT的发展方向进行了展望.
双有源层、非晶氧化铟镓锌氧化物、薄膜晶体管
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TN321+.5(半导体技术)
2021-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
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