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10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.01.003

超高真空系统中的残余气体对Ga0.75Al0.25N阴极表面光电性质影响的研究

引用
根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75A10.25N(0001)表面的吸附模型.利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附.结果表明,残余气体提高了表面功函数.功函数的变化是由吸附质与表面之间的偶极矩引起的,残余气体与阴极材料形成由体内指向表面的偶极矩,不利于光电子的逸出.在紫外波段,残余气体吸附表面的吸收系数小于Cs原子吸附表面的吸收系数.

Ga0.75Al0.25N(0001)表面、密度泛函理论、残余气体、功函数、吸收系数

41

O462.3(真空电子学(电子物理学))

国家自然科学基金;江苏省自然科学基金青年项目

2021-04-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

17-21,55

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光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

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2021,41(1)

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