10.19453/j.cnki.1005-488x.2020.04.011
保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究
研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZOTFT性能及其稳定性的影响.结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移.通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZOTFT的性能和稳定性.通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性.
金属铟镓锌氧化物薄膜晶体管、背沟道刻蚀型、保护层、阈值电压漂移
40
TN383(半导体技术)
2021-02-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
298-301