10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.03.004
低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管
在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管.原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性.经过200℃真空退火处理,双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管表现出良好的转移特性和输出特性,器件的亚阈值摆幅SS为177 mV/dec,电流开关比为1.9×108.低温下制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管有希望应用于柔性电子.
三氧化二铝、二氧化硅、铟镓锌氧、双层栅介质、薄膜晶体管、低温
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TN321(半导体技术)
2019-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
178-180,185
