10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.03.002
半导体的禁带宽度与温度关系研究
半导体禁带宽度Eg与温度的依赖关系Eg(T)是一个基础的理论课题,对材料特性的认识具有极其重要的意义.目前,对不同半导体材料的Eg(T)研究存在多种半经验的理论模型,尚未形成定论,所以该课题仍然是一个基础研究的热点.文章梳理了近几十年来Eg(T)分析模型的发展历程,分析了Varshni模型以及基于晶格振动和电子声子作用发展出的四个半经验模型的优缺点,提出了新的问题,对Eg(T)研究的进一步发展以及基于声子特性改善光电子器件性能具有指导意义.
带隙温度依赖、Varshni模型、能带收缩、声子色散、声子特性、热导率、迁移率
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TN201(光电子技术、激光技术)
国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省自然科学基金;固态照明与节能电子学协同创新中心;江苏省"六大人才高峰"高层次人才项目;国家重点实验室开放基金;南京大学扬州光电研究院研发项目;国网山东省电力公司电力科学研究院研发基金
2019-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
160-167
