10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.03.008
TiN薄膜制备方法、性能及其在OLED方面应用的研究
基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极.研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响.采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征.结果表明,TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳,制作的OLED器件在5V电压下亮度可到22 757 cd/m2.
氮化钛、有机电致发光、电极
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TN27(光电子技术、激光技术)
2018-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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