10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.03.005
CH3NH3PbI3薄膜中放大自发辐射效应的研究
利用光谱学手段研究了CH3NH3PbI3薄膜中的放大自发辐射效应.首先,从随温度变化的光致发光(Photoluminescence,PL)光谱中观察到了CHa NH3PbI3从正交相到四方相的相变.在低于相变温度时,PL过程优先发生在四方相上.在较高的激发光强下,正交相的PL峰由于四方相上激子浓度的饱和而逐渐显现,导致了放大自发辐射现象.然而,放置15天后的CH3NH3PbI3薄膜中激光效应却出现在了四方相上,表明CH3NH3PbI3薄膜中的缺陷态能够自发湮灭,从而增强了四方相在低温下的光辐射能力.
有机金属卤化物钙钛矿、光物理、光谱学、激光效应
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TN383(半导体技术)
国家自然科学基金面上项目61574078
2018-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
172-177
