10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.01.004
阳极氧化法制备Mg-Al复合氧化物绝缘层的研究
栅绝缘层是薄膜晶体管(TFT)的关键组成部分,低成本及低温制备是其未来的发展方向.阳极氧化法是可以实现这些目的的制备工艺技术之一.本文首先采用电子束蒸发在150℃的玻璃基板上制备Mg-Al合金薄膜,然后使用阳极氧化法形成Mg-Al复合氧化物薄膜,并对不同制备工艺条件下的薄膜结构、绝缘性能等进行了初步研究.所获得的Mg-Al氧化物薄膜具有均匀的非晶态结构以及较好的绝缘性能,适合于用作TFT的栅绝缘层.
阳极氧化、栅绝缘层、Mg-Al复合氧化物
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TN141(真空电子技术)
国家自然科学基金;深圳市重点实验室提升计划;国家科研启动基金
2018-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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