10.3969/j.issn.1005-488X.2015.02.014
基于InGaAs/InP APD的单光子探测器设计与实现
针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成.实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为20％,当探测效率为16％时,暗计数率(DCR)约为7.2×10-6/ns.
单光子探测器、雪崩光电二极管、FPGA、光子探测效率、暗计数率
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O439;TP11(光学)
2015-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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