10.3969/j.issn.1005-488X.2015.01.016
电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜.薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14～92.05％,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大.霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1.
MgSnO薄膜、电子束蒸发、电学特性、光学特性
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O484(固体物理学)
国家自然科学基金资助项目10974136
2015-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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70-72
