10.3969/j.issn.1005-488X.2014.04.004
基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究
一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面.这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数,然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面.结果显示场迁移率得到极大提高,其最优特性高达0.91 cm2V-1s-1.
有机薄膜晶体管、绝缘层界面修饰、电极界面修饰
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TN321.5(半导体技术)
教育部新教师基金20110073120018
2015-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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