10.3969/j.issn.1005-488X.2013.04.012
提高硅纳米墙光电器件背部欧姆接触的超声修饰方法
提供了一种硅纳米墙结构器件的背面电极接触改善方法.通过利用超声的方法修饰金属催化法制备的硅纳米墙结构,并制备了AZO/硅纳米墙异质结光电器件.研究发现超声波可以对金属催化法制备的纳米硅墙进行单面修饰,与未经超声修饰的样品制备的器件相比,超声修饰能够改善硅纳米墙器件的背面电极欧姆接触,2 min的超声修饰可以将器件的串联电阻从5.87 Ω下降到0.82 Ω,填充因子提高86％,光电转换效率提高76.2％,提高了光电器件的载流子收集效率.
超声修饰、金属催化法、硅纳米墙、欧姆接触
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TN15(真空电子技术)
2014-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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