10.3969/j.issn.1005-488X.2013.04.010
GaN基LED的图形衬底优化研究
设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底(PSS),使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN LED器件,然后使用APSYS软件模拟计算出它们的光电特性.并且对方形图形衬底的刻蚀深度进行了优化,通过对模拟结果的比较得到刻蚀深度与边长的比值为0.4时,这种方形图形衬底GaN LED的光提取效率最高,且比平面衬底提高了20.13％.对阶梯状图形衬底的阶梯层数进行了比较,发现随着阶梯层数的增加,光提取效率也随着增加,阶梯状层数为5时,光提取效率比平面衬底提高了30.03％.并对方形PSSLED进行了实验验证.
氮化镓、发光二极管、极化效应、图形衬底、光提取效率
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TN312+.8(半导体技术)
中国博士后科学基金资助项目20080430096
2014-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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