10.3969/j.issn.1005-488X.2013.03.012
近红外响应的Ⅲ-Ⅴ族半导体光电阴极材料及工艺
随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展.针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-Ⅴ族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能.通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点.
负电子亲和势光电阴极、转移电子光阴极、GaAs、InGaAs、InGaAsP
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TN304.2+3(半导体技术)
2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
194-197,207
