10.3969/j.issn.1005-488X.2013.02.003
含缺陷一维光子晶体电场分布研究
文章给出了任意入射角时光在一维光子晶体中的透射率及电场分布的解析式,研究了不同的入射角、入射光角频率、缺陷层折射率及光子晶体周期数对含缺陷的一维光子晶体场强分布的影响,同时研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率及场强分布的影响,所得到的一些结论为光子晶体的制备及应用提供新的有价值的理论依据.
光子晶体、缺陷、电场分布
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O734(晶体物理)
国家自然科学基金资助项目11247201
2013-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
82-87,92
