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10.3969/j.issn.1005-488X.2011.02.016

封装用高热导率硅胶性能的研究

引用
通过对LED封装结构热模拟分析表明,模拟固晶胶粘贴部分失效的情况下,采用热导率为0.1 W/m·K的普通硅胶封装成的LED芯片最高温度为220.27℃,采用导热填料高热导率硅胶灌封的LED芯片最高温度可降低到122.71℃,大幅降低了芯片的温度.纳米ZnO导热填料高热导率硅胶,其填料颗粒的直径小于25 nm,透光率高,可适用于LED封装.高温加速老化结果表明,采用导热硅胶灌封的LED样品具有很好的热稳定性,LED高温老化2 000 h后,光通维持率保持在90%以上,避免了由于灌封材料和荧光粉老化产生的黑褐色覆盖层,提高热稳定性和器件使用寿命.

高热导率硅胶、半导体发光二极管、扫描电子显微镜、热模拟

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TN104.3(真空电子技术)

2011-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

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2011,31(2)

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