10.3969/j.issn.1005-488X.2010.02.012
中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究
利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析.结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5 kw溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1 MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.
AlN薄膜、中频反应磁控溅射、电学性能、导通机制
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O484(固体物理学)
国家"863"计划重大专项2008AA03A313;福建省重大科技专项2004HZ01-2
2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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122-126
