10.3969/j.issn.1005-488X.2010.02.006
FED下基板制作工艺及介质的耐压特性研究
在制作场发射显示器(FED)下基板的工艺过程中,设计了两种方案来制作下基板的阴栅极,用扫描电镜观察所得样品的横截面,并计算出各结构尺寸,分析阴栅极易形成短路的原因.优选出其中一种方案作为介质耐压试验的工艺方法,测试介质在中性溶液中浸泡不同时间后的耐压曲线,并分析击穿电压降低的原因.
场发射显示器、介质、击穿、下基板
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TN104.2(真空电子技术)
国家"863"计划平板显示重大专项支持项目2008AA03A313
2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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