10.3969/j.issn.1005-488X.2010.01.015
基于碲锌镉探测器脉冲整形电路设计
CdZnTe晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测新材料,针对该材料制作的探测器设计了一种脉冲整形电路.将Sallen-Key滤波器应用于核脉冲的整形中,采用高速运算放大器来设计和实现了整形电路,用较少的级数就可得到准高斯波形的输出.研究了整形电路的工作原理,测定了电路的各项技术指标.通过OrCAD仿真测试,当脉宽大于1 μs时,反冲较明显,当脉宽不大于1 μs时,几乎没有反冲.采用辐射源~(241) Am,得到峰值为60 keV的能谱图,能量分辨率为9.2%.
CdZnTe、Sallen-Key滤波器、整形放大、能谱
30
TN784~+.1(基本电子电路)
国家自然科学基金资助项目10876044
2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
64-67,71
