10.3969/j.issn.1005-488X.2009.04.008
CNT-FED背光源中支撑体高度的优化研究
利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT-FED)背光源原型器件,研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响,实验表明:支撑体高度增加,开启电压随之增加;达到同样的发射电流密度,支撑体越高,亮度也越高.支撑体高度为1 000 μm和2 000μm时,CNT-FED背光源发射性能较好,在电流密度为4 mA/cm~2情况下,支撑体高度为1 OOO μm时,亮度为1 800 cd/m~2;支撑体高度为2 OOO μm时,亮度为3 100 cd/m~2.选用支撑体高度为2 000 μm,制备出86.4 cm液晶平板显示器(LCD)用CNT-FED背光源,亮度最高可达8 000cd/m~2,发光均匀性为82%,稳定发射30 h,发射电流无明显衰减.
碳纳米管、场发射、背光源
29
TN383~+.1(半导体技术)
国家"863"计划平板显示重大专项2008AA03A313;福建省自然科学基金项目2009J05145;福建省教育厅资助项目JA08005;福建省教育厅资助项目JA09003
2010-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
257-260,264
