10.3969/j.issn.1005-488X.2009.01.002
MSM型氮化镓紫外探测器研究
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属一半导体一金属型的紫外光电探测器.材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料.器件在362 nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103.通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析.
紫外探测器、可见盲、宽带隙
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TN36(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60807038
2009-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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