10.3969/j.issn.1005-488X.2008.03.014
ITO透明导电薄膜的制备工艺研究
采用溶胶-凝胶法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜.详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件.结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4+离子取代In2O3晶格中的In3+离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600 Ω/□,可见光透过率达到83%.
氧化铟锡薄膜、溶胶-凝胶法、方阻、透光率
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TN304.055(半导体技术)
2008-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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