10.3969/j.issn.1005-488X.2007.02.001
负电子亲和势氮化镓光电阴极
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景.本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺.指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活.
超高真空、激活、负电子亲和势、GaN光电阴极、紫外敏感、光电探测
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O462.3(真空电子学（电子物理学）)
2007-07-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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