10.3969/j.issn.1005-488X.2006.04.007
GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究
良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辩率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键.本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAS进行了腐蚀,在二者配比为3:1的条件下,在GaAS衬底材料上制备了深宽比为2:1的隔离沟槽.腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求.
GaAs、发光二极管阵列、高深宽比结构、湿法腐蚀
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TN3(半导体技术)
吉林省科技大战计划项目20030513
2007-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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