10.3969/j.issn.1005-488X.2006.02.006
非对称绝缘层无机EL显示器件的研究
非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构.成功制备了一批ZnS:Mn器件,其下介质层为厚100～200 nm的SrTiO3(ST)或Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)或Ta2O5薄膜,上介质层为厚600～1 100 nm的Ta2O5或ST/Ta2O5或HfO2/Ta2O5/Al2O3薄膜.发现以ST/Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L-V曲线,以HfO2/Ta2O5/Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性.
薄膜电致发光器件、不对称绝缘层、阈值电压、L-V曲线
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TN104.3(真空电子技术)
2006-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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