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10.3969/j.issn.1005-488X.2004.04.008

VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究

引用
用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性.OES测试结果表明:随功率增加,对应各基团峰的强度增大;结合喇曼的测试结果,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量,Raman测试结果表明相应的晶化率低.

甚高频等离子体增强化学气相沉积、光发射谱、喇曼散射谱

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TN304.055(半导体技术)

国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202,G2000028203;教育部科学技术研究项目02167;国家高技术研究发展计划863计划2002303261

2005-01-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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光电子技术

1005-488X

32-1347/TN

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2004,24(4)

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