10.3969/j.issn.1005-488X.2004.03.003
全色波段硅双结型色敏器件的研制
通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素.通过选择不同的器件结构和工艺条件,得到了色敏器件对蓝紫光的响应,完成了全色波段硅双结型色敏器件的研制.
双结型硅色敏器件、全色波段、结深、短路电流比
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TN379(半导体技术)
湖北省科技厅科技攻关项目2002AA101B06
2005-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
159-162,168
