10.3969/j.issn.1005-488X.2004.02.004
硼轻掺杂对非晶硅薄膜光电性能的影响
用化学气相沉积法制备了厚度为2 μm左右、掺杂比为(2～6)×10-6的硼轻掺杂非晶硅半导体薄膜,测量了样品光电流随掺杂比、电压和光波长的变化.结果表明,非晶硅薄膜的光电流随掺杂比、电场强度和光功率密度的增大而增大,光电流灵敏度最高频谱范围随掺杂比和电场强度的增大而增大,掺杂比改变对光电流的影响比电场强度和光功率密度变化的影响更明显.
非晶硅、掺杂、光电流、频谱特性
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TN305(半导体技术)
2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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