10.3969/j.issn.1005-488X.2004.02.003
SnO2的含量对ITO透明导电薄膜结构和光电特性的影响
阐述了射频磁控溅射方法制备的柔性衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性与靶材中SnO2含量的关系.ITO靶材中In2O3掺杂SnO2最佳比例(质量比)为7.5%,制备薄膜的霍耳迁移率为89.3 cm2/(V·s),电阻率为6.3×10-4Ω·cm,在可见光范围内相对透过率为85%左右,随着靶材中SnO2含量增大,薄膜的光学带隙展宽.用不同掺杂比例的靶材制备的薄膜均为多晶纤锌矿结构,掺杂比例增大,样品的晶格常数变大,晶格畸变明显.
ITO薄膜、掺杂比例、光电特性、射频溅射
24
TN304.055(半导体技术)
国家自然科学基金60176021
2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
89-92
