10.3969/j.issn.1005-488X.2003.02.017
GaN基发光二极管研究与进展
宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体GaN是最近研究比较活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管一出现即引起广泛的关注,并以惊人的速度实现了商品化.文章就GaN基半导体二极管的研制和发展概况,应用和市场前景,以及近期研究热点作了介绍.
宽禁带半导体、氮化镓、发光二极管
23
O472+.8(半导体物理学)
2003-12-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
139-142
10.3969/j.issn.1005-488X.2003.02.017
宽禁带半导体、氮化镓、发光二极管
23
O472+.8(半导体物理学)
2003-12-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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