10.3969/j.issn.1005-488X.2003.02.002
溅射氩分压对ITO透明导电薄膜光电特性的影响
用磁控溅射法在水冷PPA聚脂胶片上制备了性能优良的ITO透明导电膜.本文重点讨论了溅射氩分压对薄膜的结构和光电特性的影响,合适的氩分压为0.5 Pa,在此条件下,制备的薄膜最小电阻率为4.6×10-4Ω@cm,相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为75 cm2/(V@s),在可见光范围内相对透过率为80%左右,在红外区,薄膜的等离子共振吸收波长随着氩分压的减小而变短.X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的C轴具有[222]方向的择优取向,随氩分压的增大,[400]峰开始增强,[222]峰被削弱,薄膜呈现出混晶结构.XPS谱分析表明随溅射分压的减小,薄膜中的氧空位浓度增大,自由载流子浓度有所增大.
磁控溅射、氩分压、等离子体共振吸收、电学特性
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TN304.055(半导体技术)
国家自然科学基金60176021
2003-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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78-82
