10.3969/j.issn.1005-488X.2002.04.007
多孔硅光电导特性研究
多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应,本文采用阳极氧化工艺制作了Al/PS/Si/Al的结构样品,给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值.结果表明:多孔硅禁带宽度在1.9 eV左右,大于Si的禁带宽度1.12 eV,这与多孔硅的发光现象和能带展宽理论相一致.
多孔硅、光电导、阳极氧化
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O471.1;TN304(半导体物理学)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
220-222,238
