10.3969/j.issn.1005-488X.2001.01.002
高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究
在实用的透明导电氧化物(TCO)薄膜中,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制.如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收,是提高TCO薄膜性能的一条捷径.采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2O3:Mo,简称IMO)薄膜中,Mo6+与In3+的化合价态相差3,远大于广泛研究和应用的TCO薄膜材料In2O3:Sn、SnO2:F和ZnO:Al中的价态差.IMO薄膜的电阻率可以低至1.7×10-4Ω·cm,对4 μm以上波长红外线的反射率和可见光区域的平均透射率(含1.2 mm厚玻璃基底)都高于80%;载流子迁移率高达80～130cm2V-1s-1,远超过其它掺杂TCO薄膜;但是自由载流子浓度只有2.5×1020～3.5×1020cm-3,还有很大的发展空间可以进一步提高性能.
透明导电薄膜、掺杂氧化物、掺钼氧化铟
21
O484(固体物理学)
2005-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
17-24
