10.3969/j.issn.1674-2605.2022.06.007
碳化硅外延设备控制系统
碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等.该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统,设计了软件架构、流程、交互、控制零件等.经反复的工艺运行验证,该系统的最高测量温度达到1750℃;温控精度≤1℃;压力控制精度≤1 mbar;外延最高生长速率≥60 um/h;厚度均匀性≤2％;掺杂浓度均匀性≤5％;平均修复时间(MTTR)≤8 h,以上指标均达到设计要求.
碳化硅、外延设备、多总线、模块化、控制系统
43
TN304.05(半导体技术)
季华实验室基金项目X210241TC210
2023-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
41-45,51
