10.3969/j.issn.1004-4957.2014.08.007
基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg2+
利用简单方法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硫化镉(CdS)量子点.通过静电吸附,用聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDDA)将CdS修饰到氧化铟锡(ITO)电极上.在电子供体三乙醇胺(TEA)的存在下,CdS修饰的ITO电极具有稳定的阳极光电流.Hg2+原位吸附于CdS表面形成的p型半导体HgS与n型半导体CdS形成p-n结,能够促进电子-空穴的分离与电荷传输,使CdS量子点的光电流增大.研究了反应前驱体中Cd,S摩尔比、反应溶液的pH值、回流时间等条件对所合成的量子点与Hg2+相互作用的影响.此外,还研究了电解质溶液的pH值、外加电压、反应时间对Hg2+增大CdS量子点光电流的影响.基于此,构建了灵敏检测Hg2+的光电化学传感器.该传感器对Hg2+响应的线性范围为4.0×10-8～2.0 ×10-5 mol/L,检出限为2.4×10-8mol/L,回收率为98.3％～103.5％.
CdS量子点、光电化学传感器、汞离子、p-n结
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O657.3;O629.8(分析化学)
国家自然科学基金项目21275065,21005031
2014-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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