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10.3969/j.issn.1004-4957.2009.04.017

纳米CeO2修饰碳糊电极微分脉冲伏安法对盐酸克伦特罗的测定

引用
研究了盐酸克伦特罗(CLB)在纳米CeO2修饰碳糊电极上的电化学行为.结果表明:在0.10 mol·L-1的HClO4溶液中,CLB于+0.40 V(vs SCE)左右处产生1对准可逆的氧化还原峰.与裸碳糊电极相比,CLB在修饰电极上的电流响应明显增大,据此建立了尿样中CLB的微分脉冲伏安测定方法.线性范围为5.0×10-9 ~6.0×10-6 mol·L-1(r=0.998 2,n=7),检出限为2.5×10-9 mol·L-1(3sb),加标回收率为96% ~104%.

盐酸克伦特罗、微分脉冲伏安法、纳米CeO2、碳糊电极

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S859.84(动物医学(兽医学))

陕西省教育厅专项科研基金资助项目07JK434;延安大学专项科研基金资助项目YD-2007-7;延安大学研究生教育创新计划资助项目YJCX200818

2009-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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1004-4957

44-1318/TH

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2009,28(4)

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