10.11889/j.1000-3436.2021.rrj.39.061001
新型季鏻化多级孔二氧化硅吸附剂的辐射合成及其对高铼酸根的选择性吸附性能
以三甲基氯硅烷对多级孔二氧化硅进行烷基化,随后通过两步辐射诱导接枝季鏻盐,制备了一种新型季鏻化多级孔二氧化硅材料,命名为HPS?C?P.傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和比表面积(BET)分析表明,烷基和季鏻盐均匀接枝在多级孔二氧化硅表面.考察了HPS?C?P对ReO4?的吸附性能,发现HPS?C?P对ReO4?的吸附在4 min内即可达到平衡,最大吸附量可达140.5 mg/g,高于化学方法修饰季鏻盐的多级孔二氧化硅的最大吸附量74.4 mg/g.ReO4?的浓度与竞争离子的浓度比为40:1时,相对于NO3?、SO42?、Cl?,CO32?和PO43?,HPS?C?P对ReO4-的分离因子(SF)最大可达159、827、557、681、1905,高于大多数目前报道的吸附材料.HPS?C?P具有良好的抗辐射性能和循环吸附性能,FTIR和XPS分析表明ReO4?通过离子交换机理被HPS-C-P吸附.这项工作提供了一种制备高效硅基吸附剂的新方法,此吸附剂即便暴露于辐射环境中仍可以高选择性地从水溶液中去除Re.
季鏻盐;多孔硅;Re吸附;辐射接枝
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TL13(基础理论)
科学挑战项目;国家自然科学基金
2021-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
87-90
