基于光电化学刻蚀的GaN微纳加工研究
开发了自制可视化光电化学微纳加工装置,对三电极体系中GaN表面的光电化学刻蚀进行研究.在酸性电解液中,光生空穴迁移到GaN/电解液的表界面,使得GaN表面发生氧化刻蚀反应.通过倒置光学显微镜连接CCD相机实时采集样品在刻蚀过程中的动态图像,观察反应的进程.通过扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀后GaN的表面进行了表征.研究结果表明,在0.5V的刻蚀电压下GaN表面形成了多孔纳米结构.
光电化学刻蚀、GaN、微纳加工、纳米孔
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TN305.7;TB383(半导体技术)
国家自然科学基金;广东省教育厅特色创新资助项目;粤港澳智能微纳光电技术联合实验室资助
2022-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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