基于Al诱导结晶在SiO2衬底上生长(111)晶向平面多晶Ge薄膜的研究
主要研究在SiO2衬底上利用Al诱导结晶方法生长50 nm厚的多晶Ge薄膜的过程.研究的重点主要集中在对多晶Ge薄膜进行适当的低温退火处理以及Ge和Al薄膜之间的扩散控制层精准厚度的把握上.当把退火温度控制在325℃、AlOx扩散控制层的厚度精准到1 nm时,就可以获得多晶Ge薄膜的(111)晶向平面所占的比例超过90％.此外,通过电子背散射衍射(EBSD)测量可以证实,利用该方法生长的多晶Ge薄膜的晶体颗粒的直径有12μm之大.研究结果说明利用Al诱导结晶方法在SiO2衬底上生长的多晶Ge薄膜,如果将其用于制作电学和光学器件的模板层,将在半导体器件工艺上具有非常好的应用前景.
Al诱导结晶、多晶Ge薄膜、扩散控制层、低温退火
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TB303(工程材料学)
国家自然科学基金资助项目11474053;佛山科学技术学院大学生创新创业训练项目XJ2017231
2019-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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