基于金属诱导结晶生长多晶Ge薄膜的成核机理 与动力学特征
研究低温下利用金属Al对非晶Ge薄膜进行层交换结晶生长多晶Ge薄膜的动力学过程.实验观察到Ge原子从非晶Ge层穿过中间很薄的GeOx界面层后,大量地迁移到金属Al层的表面,并对多晶Ge薄膜中Ge成核区域的面密度进行了测量,对GeOx界面层进行偏置电压处理以控制Ge成核区域的面密度.根据实验观察的各种结果并运用JMAK的相迁移理论解释了Ge成核区域的二维生长过程以及成核机理.应用Ge成核区域的动力学方程得到Ge岛的成核率随时间呈指数衰减的变化趋势.随着生长时间的增加,Ge成核区域从恒定生长速率的线性生长方式转变为表面扩散限制生长方式.这两种生长机制的转折点取决于Ge岛成核的位置密度和退火温度.掌握低温下层交换结晶的生长动力学理论对生长大颗粒的多晶Ge薄膜是非常重要的.
金属诱导结晶、多晶Ge、成核密度、退火温度
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TB303(工程材料学)
国家自然科学基金资助项目11474053
2017-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
14-22
