10.3969/j.issn.1008-0171.2007.06.003
X射线衍射V2O5在介孔二氧化硅上的分散研究
采用X射线衍射技术(XRD)考察了金属氧化物V2O5在介孔二氧化硅分子筛上的分散,研究结果表明应用浸渍法将V2O5浸渍于介孔二氧化硅分子筛中,在低于V2O5熔点的适当温度下焙烧后,与未浸渍V2O5样品相比,晶胞参数a值明显增大,说明钒离子掺入了介孔二氧化硅分子筛的骨架中;在一定范围内随着V2O5加入量的增加其在介孔二氧化硅的表面的分散量也在增加,而V2O5残余晶相量远远低于加入的量,说明V2O5掺入介孔二氧化硅分子筛骨架的同时可在介孔二氧化硅的表面成单层分散.
介孔二氧化硅、V2O5、浸渍法、单层分散、掺入骨架
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TG115.23(金属学与热处理)
上海市纳米科技专项基金0112Nm032
2008-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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