10.3969/j.issn.1008-0171.2007.04.001
In1-xGaxN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究
通过器件模拟对n-In1-xGaxN/p-Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c-Si同质结薄膜电池的性能作了比较.研究表明:在AM1.5的光照条件下,n-IGN/p-Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%.电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明.
太阳能电池、InGaN、光伏特性、光致发光
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TM914.4
广州市LED工业研究开发基地、香港健隆投资有限公司研发资助项目
2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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