10.3969/j.issn.1003-0107.2021.10.029
AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声测试方法研究
AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声比常规电参数对缺陷更为敏感,缺陷信息更加丰富,且具有不可恢复的特点,与器件的质量和可靠性密切相关.该文设计了AlGaN/GaN HEMT器件低频噪声测试的偏置电路、建立了一套低频噪声测试系统,对不同测试端口和偏置条件下的低频噪声水平进行了测试,通过对比分析得到了低频噪声测试结果与电压、电流之间的关系,并对测试结果进行了误差分析,对AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性评价有重要意义.
AlGaN/GaN HEMT器件;低频噪声测试;可靠性
TN386(半导体技术)
2021-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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