10.3969/j.issn.1003-0107.2020.05.009
厚膜组装VDMOS在功率循环下的失效特征和机理
该文以厚膜组装VDMOS为对象进行功率循环试验,采用X射线、切金相剖面分析和热阻分析等方法对试验后样品进行了对比.分析厚膜组装各封装界面随时间的退化的特征,并分析了其退化机理.其次利用有限元分析法计算模块中各部分温度分布情况,最后结合Coffin-Manson关系外推不同温度变化条件下的循环次数.
厚膜组装、封装失效、功率循环、失效机理分析、VDMOS
TN386.1(半导体技术)
2020-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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